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產(chǎn)品詳情

HG-C CMOS型微型激光位移傳感器  HG-C1100-P

產(chǎn)品系列:

HG-C CMOS型微型激光位移傳感器

型       號(hào):HG-C1100-P
品       牌:松下
產(chǎn)       地:蘇州
狀       態(tài):在產(chǎn)
項(xiàng)目 內(nèi)容
訂貨產(chǎn)品號(hào) HG-C1100-P
型號(hào) HG-C1100-P
適用標(biāo)準(zhǔn)及認(rèn)證 CE認(rèn)證(EMC指令、RoHS指令)、UKCA標(biāo)志(EMC標(biāo)準(zhǔn)、RoHS標(biāo)準(zhǔn))、FDA規(guī)則、UL/c-UL認(rèn)證
(注):自2017年3月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始符合UL/c-UL認(rèn)證。
測(cè)量中心距離 100mm
測(cè)量范圍 ±35mm
重復(fù)精度 70μm
直線性 ±0.1% F.S.
溫度特性 0.03% F.S./℃
光源 紅色半導(dǎo)體激光 2級(jí)(JIS/IEC/GB)/II級(jí)(FDA)(注)
最大輸出:1mW
投光峰波長(zhǎng)度:655nm
(注):根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定、遵守FDA規(guī)則。
光束直徑 約?120μm
(注):測(cè)量中心距離的大小。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。如果定義區(qū)域外有光泄漏、并且檢測(cè)點(diǎn) 周圍有高于檢測(cè)點(diǎn)本身的強(qiáng)反射、測(cè)定結(jié)果可能會(huì)受到影響。
電源電壓 12~24V DC±10% 脈動(dòng)P-P10%以下
消耗電流 40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))
65mA以下(電源電壓12V DC時(shí))
(注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品: 40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、60mA以下(電源電壓12V DC時(shí))
控制輸出 PNP開路集電極晶體管
?最大源電流:50mA
?外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)
?剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時(shí))
?漏電流:0.1mA以下
控制輸出:輸出動(dòng)作 入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON 可切換
控制輸出:短路保護(hù) 配備(自動(dòng)恢復(fù))
模擬輸出 : 模擬量電壓輸出 ?輸出范圍:0~5V(報(bào)警時(shí):+5.2V)
?輸出阻抗:100Ω
模擬輸出 : 模擬電流輸出 ?輸出范圍:4~20mA(報(bào)警時(shí):0mA)
?輸出阻抗:300Ω
(注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。
響應(yīng)時(shí)間 1.5ms/5ms/10ms 可切換
外部輸入 PNP無(wú)接點(diǎn)輸入
?輸入條件
無(wú)效:0~+0.6V DC或開路
有效:+4~+V DC
? 輸入阻抗:約10kΩ
污損度 2
使用標(biāo)高 2,000m以下
耐環(huán)境性:保護(hù)構(gòu)造 IP67(IEC)
耐環(huán)境性:使用環(huán)境溫度 -10~+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、存儲(chǔ)時(shí)20~+60℃
耐環(huán)境性:使用環(huán)境濕度 35~85%RH、存儲(chǔ)時(shí):35~85%RH
耐環(huán)境性:使用環(huán)境照度 白熾燈:受光面照明度3,000 lx以下
耐環(huán)境性:耐振動(dòng) 耐久10~55Hz(周期1分鐘) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時(shí)
耐環(huán)境性:耐沖擊 耐久500m/s2(約50G) XYZ各方向3次
電纜 0.2mm2 5芯復(fù)合電纜, 長(zhǎng)2m
電纜延長(zhǎng) 0.3mm2以上電纜 最多延長(zhǎng)至全長(zhǎng)10m
材質(zhì) 本體外殼:壓鑄鋁
前罩:丙烯基
重量 本體重量:約35g(不含電纜)、約85g(含電纜)
  • 外型尺寸圖
  • 相關(guān)產(chǎn)品(可選件)

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